图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSS84P Datasheet |
| 文档 |
Multiple Devices 25/Nov/2011 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 25/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 170mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8 Ohm @ 170mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 20µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 19pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 360mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 170mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 20µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 Ohm @ 170mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 360mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 19pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.5nC @ 10V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 0.17 A |
| 零件号别名 | BSS84PH6327XTSA2 SP000929186 |
| 下降时间 | 20.5 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 0.13 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 8.6 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | BSS84 |
| RDS（ON） | 8 Ohms |
| 功率耗散 | 0.36 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 16.2 ns |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| 栅极电荷Qg | 1 nC |
| 工厂包装数量 | 18000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 1.5 nC |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 170 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 1.1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 6.7 ns |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| 技术 | Si |
BSS84P H6327也可以通过以下分类找到
BSS84P H6327相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
